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重庆万州区委常委副区长周诚考察高光电子
2024-01-15
1月15日,重庆万州区委常委副区长周诚、万州区统计局局长邢勇、万州区中山街道党工委书记夏爱军等一行考察高光电子并指导经济普查工作。高光电子总经理肖南海介绍了公司当前的生产经营情况和未来的发展规划。 周诚常委对高光电子多年来深入研究细分行业和进行研发创新给予了高度赞扬和肯定,勉励企业要做专、做细,深耕细分行业,不断进行技术创新增强企业的核心竞争力。 万州区中山街道办事处副主任杨朝军、万州
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汽车CMS GB15084-2022标准即将正式生效
2023-06-15
CMS:Camera Monitor System 汽车电子后视镜是指在汽车后视镜上加入电子设备,通过摄像头和显示屏来代替传统的平面后视镜,实现更广角的视野和高清的图像显示。GB+15084
第三代半导体产业步入快速增长期
2023-06-15
日前,在2023中关村论坛“北京(国际)第三代半导体创新发展论坛”上,科学技术部党组成员、副部长相里斌表示,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能,在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域有巨大市场。 “总体上看,‘十三五’期间已经基本解决我国第三代半导体产品和相关装备的‘有无’问题,‘十四五’期间将重点解决‘能用、好用’以及可持续创新能力的问题。”相里斌表示,科技部将聚焦关键核心技术和重大应用方向,重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈。 经过多年努力,全球第三代半导体产业正进入快速增长期。国际半导体照明联盟主席、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任曹健林表示:“以第三代半导体为代表的宽禁带半导体,广泛应用于符合‘双碳’目标的新能源、交通制造产业升级以及光电应用场景,已成为推动诸多产业创新升级的重要引擎。”曹健林分析认为,我国发展第三代半导体已经具备技术突破和产业协同发展的基础。与半导体相关的精密制造水平和配套能力快速提升,为相关装备国产化打下坚实基础。 中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇举例说,基于第三代半导体材料和器件将引领高端电力装备的颠覆性创新应用,推动传统电网向半导体电网发展。 新一代信息技术与工业化深度融合加快,为集成电路产业发展创造巨大空间。如北京市顺义区已初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局,集聚了泰科天润、国联万众、瑞能半导体等产业链上下游企业20余家。论坛上,国联万众碳化硅功率芯片二期等6个产业项目签约,预计总投资近18亿元。 第三代半导体产业也面临不少“成长中的烦恼”。比如,原始创新和面向应用的基础研究能力较弱,关键装备和原材料依然高度依赖进口,产业链、供应链安全依然存在风险,缺乏开放、链条完整、装备条件先进的第三代半导体研发中试平台,产业生态尚未建立等。 为此,第三代半导体产业技术创新战略联盟等联合发布倡议,聚焦重点市场需求,在新能源汽车、光伏储能、新型显示等领域推广应用基于第三代半导体材料的“绿色芯”“健康芯”;聚焦产业链协同创新,共同组建创新联合体,强化公共技术服务能力和标准化能力建设,形成产学研紧密合作、上下游链条打通、大中小企业共生发展的协同创新局面。 第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲认为,一方面需要推动示范应用,打通产业链条,提高产品竞争力和产业引领力;另一方面需要集聚创新要素,积极推动国际科技交流与合作,重点加强与具备成熟技术的中小企业和研发团队的深度合作。
NTC Sensor热敏电阻温度采集原理
2023-06-13
NTC Sensor热敏电阻温度采集原理
ZnO压敏电阻在无刷电机的保护电路?
2023-06-13
ZnO(氧化锌)压敏电阻是一种可调节电阻值的无极性电阻,具有瞬间响应能力,当电压或电流超过一定程度时,电阻值会迅速变小,吸收过电压和过电流,防止无刷电机或其相关器件受到损坏。ZnO压敏电阻在无刷电机的保护电路中可以用来抑制电机输出端瞬态过电压、过电流等瞬态干扰,起到保护无刷电机及其相关器件的作用。在无刷电机的保护电路中,ZnO压敏电阻通常安装在电机输入端或输出端,与TVS瞬态抑制二极管等保护元件配合使用,用来共同抑制过电压和过电流的瞬态冲击。此外,为了提高ZnO压敏电阻的效果,还应注意以下事项:1. 选择合适的压阻值:根据无刷电机的工作电压和电流,选择合适的ZnO压敏电阻的压阻值。2. 确保功率足够:在无刷电机的保护电路中,ZnO压敏电阻的功率应足够大,以防止器件烧毁或过载。3. 优化电路布局:在电路设计过程中,要优化电路布局,减少电磁干扰。4. 注意静电保护:作为保护元件的一种,ZnO压敏电阻也需要进行静电保护,避免外界静电干扰导致器件损坏。总之,在无刷电机的保护电路中,ZnO压敏电阻具有重要的应用价值,对保护无刷电机及其相关器件起到了关键的作用。
TVS瞬态抑制二极管在无刷电机的保护电路?
2023-06-13
无刷电机通常采用三相桥式电路驱动,其正常工作电压和电流会因多种因素如负载变化、磁场干扰等产生瞬态峰值过高的电压和电流。这些瞬态冲击可能导致器件受损,如MOSFET、IGBT等开关管或甚至控制器和微控制器等。为了保护无刷电机的相关器件,可采用TVS(Transient Voltage Suppressor)瞬态抑制二极管进行保护。TVS瞬态抑制二极管采用半导体材料,通过Zener二极管的反向击穿来实现瞬态抑制的功能,能够在极短的时间内吸收过电压和过流的瞬态冲击,有效保护无刷电机及其相关器件。在无刷电机的保护电路中,TVS瞬态抑制二极管通常安装在电机输入端或输出端,用来抑制瞬态峰值电压和电流。同时,在安装TVS瞬态抑制二极管时要注意以下事项:1. 选择合适的电压等级:TVS瞬态抑制二极管的电压等级要比无刷电机的最高工作电压大一些。2. 确定电路拓扑结构:根据无刷电机的实际情况,确定TVS瞬态抑制二极管的放置位置。3. 加强PCB的布局设计:在电路设计过程中,要避免电路的高噪声区域和低噪声区域交错排布,从而减少电磁干扰。4. 注意防护接地:TVS瞬态抑制二极管安装在电机输入输出端时需要注意防止外界静电干扰,并加强防护接地。以上是在无刷电机的保护电路中使用TVS瞬态抑制二极管的一些注意事项,合理的保护电路设计能延长无刷电机的使用寿命,并提高整个系统的稳定性和安全性。
汽车车灯SMBJ30CA二极管的使用注意事项?
2023-06-13
1. 保持干燥:汽车车灯SMBJ30CA二极管在使用中应保持干燥,避免受潮、沾水等。2. 避免过热:在长时间使用时,SMBJ30CA二极管可能会发热,需要注意避免过热影响正常使用。3. 防止静电:SMBJ30CA二极管在使用和存放过程中应注意防止静电的影响,以免对器件造成损害。4. 充分预热:在使用SMBJ30CA二极管前,应进行充分预热,以免温度突变对器件造成损害。5. 正确安装:SMBJ30CA二极管应正确安装在汽车车灯电路中,避免接触不良、接反等现象。6. 不可逆接:SMBJ30CA二极管具有极性,在使用中应注意不要逆接,以免对器件造成损害。7. 注意放置位置:SMBJ30CA二极管在放置和使用时应注意放置位置,避免受到机械冲击或挤压等影响,以免对器件造成损害。
SM8S33CA汽车级二极管的使用方法?
2023-06-13
SM8S33CA是一款汽车级别的二极管,其主要用于电子设备和汽车电子系统的过电压保护。以下是SM8S33CA的使用方法:1. SM8S33CA的正负极需正确连接,确保极性正确。2. 在使用SM8S33CA二极管时需要做好散热工作,确保二极管温度不会过高。3. 确保SM8S33CA二极管正常工作时,其工作电压不应超过33V,电流不能超过8A。4. 在使用SM8S33CA二极管时,应避免有过度电流过载的情况。5. 在安装SM8S33CA二极管时,应将其焊接在适当的位置,并确保焊接牢固可靠。6. SM8S33CA二极管应存放在防潮,防尘,避光和防静电的环境中,以防止其受到损坏。7. 在使用SM8S33CA二极管时,应遵守相关的安全操作规程,确保设备和人员的安全。
MOS管工作原理?主要参数有哪些?详解
2023-06-13
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种半导体器件,它是由金属、氧化物和半导体晶体构成的结构。工作原理:当MOS管的栅极施加一定电压后,形成一个电场,使得半导体的导电性发生变化,导致源极和漏极之间的电阻变化,从而实现电流的调制和控制。主要参数:1. 静态工作点:源漏电流、栅极电压;2. 动态参数:最大漏极电流、最大漏极电压、最大功耗、开关时间和占空比等。详解:静态工作点是指MOS管在一个特定的电压下,源极和漏极之间电流为零的时候的工作点。一般情况下,厂家规定的静态工作点是最合适的工作点,如果偏离静态工作点,就会影响MOS管的工作性能。动态参数是指MOS管在动态工作状态下的特性。最大漏极电流是MOS管能承受的最大电流,如果超过这个值,就会导致MOS管的损坏。最大漏极电压是MOS管能承受的最大电压,如果超过这个值,就会导致MOS管的击穿。最大功耗是MOS管可以承受的最大功率,超过这个值会导致MOS管的发热,甚至损坏。开关时间是指MOS管从关闭到打开所需的时间,占空比是指MOS管关闭时间和总时间的比率,在某些应用中需要特别注意。总之,MOS管是一款常用的半导体器件,它的主要参数包括静态工作点和动态参数,需要根据具体的应用场景选择合适的MOS管型号和参数。
MOS管充放电保护电路?
2023-06-13
MOS管充放电保护电路是用于保护MOS管的充放电过程的电路。在MOS管的充放电过程中,由于存在反向电压或电流的可能性,可能会导致MOS管损坏或失效。为了避免这种情况的发生,需要使用充放电保护电路。充放电保护电路可以分为两种类型:单向保护电路和双向保护电路。单向保护电路主要针对MOS管在充电过程中产生的反向电压或电流,通过添加二极管等元器件来避免这些反向电压或电流对MOS管造成的损害。而双向保护电路则可以在MOS管充电和放电的过程中都进行保护,通常采用MOS管和二极管组合实现。无论采用何种保护方法,必须注意保持保护电路电阻的合适,以避免过量电MOS管充放电保护电路是用于保护MOS管的充放电过程的电路。在MOS管的充放电过程中,由于存在反向电压或电流的可能性,可能会导致MOS管损坏或失效。为了避免这种情况的发生,需要使用充放电保护电路。充放电保护电路可以分为两种类型:单向保护电路和双向保护电路。单向保护电路主要针对MOS管在充电过程中产生的反向电压或电流,通过添加二极管等元器件来避免这些反向电压或电流对MOS管造成的损害。而双向保护电路则可以在MOS管充电和放电的过程中都进行保护,通常采用MOS管和二极管组合实现。无论采用何种保护方法,必须注意保持保护电路电阻的合适,以避免过量电流流过保护电路,从而导致保护电路本身产生过热和损坏。流流过保护电路,从而导致保护电路本身产生过热和损坏。
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